Un tipo di memoria dinamica ad accesso casuale sviluppato dalla società
americana MoSys e prodotto in seconda sorgente da Siemens. Consiste nel
riunire in un singolo chip diversi minibanchi indipendenti di RAM dinamica
(DRAM) senza superare la capacità massima di 750 KByte ciascuno, così da
combinare la velocità dellÆaccesso sincrono a una maggiore granularità (ci
sono più banchi a cui si può accedere individualmente e parallelamente
sullo stesso chip), due prerogative molto utili nella grafica. La velocità
di trasferimento prevista per questo genere di memoria è di 660 MByte al
secondo e il costo sarà di poco superiore a quello delle DRAM
convenzionali, ma sicuramente inferiore alle VRAM.
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